Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 60

IXFA3N120

Stock Part: 9996

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTQ140N10P

Stock Part: 12915

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 70A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTA270N04T4

Stock Part: 25549

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 270A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTP8N65X2

Stock Part: 51237

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFT340N075T2

Stock Part: 9434

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 340A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFA130N15X3

Stock Part: 209

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 65A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTQ52N30P

Stock Part: 12714

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 26A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFA12N50P

Stock Part: 27299

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTA120N04T2

Stock Part: 35430

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFT20N100P

Stock Part: 6926

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFR140N30P

Stock Part: 3794

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 70A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFH34N50P3

Stock Part: 10548

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 17A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFX90N60X

Stock Part: 5721

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 45A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTP4N65X2

Stock Part: 42974

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFR26N120P

Stock Part: 2751

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTX170P10P

Stock Part: 4910

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXFK48N50

Stock Part: 3858

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 24A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTA120P065T

Stock Part: 16233

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 65V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXFH18N60P

Stock Part: 16603

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXTP16N50P

Stock Part: 19632

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTY02N120P

Stock Part: 50297

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXTP14N60PM

Stock Part: 30425

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTA42N25P

Stock Part: 23958

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXFR32N80P

Stock Part: 6454

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFK26N100P

Stock Part: 3115

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFR44N80P

Stock Part: 4822

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFP230N075T2

Stock Part: 15406

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTA86N20T

Stock Part: 18229

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 86A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXFN44N100P

Stock Part: 2457

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTT30N50L

Stock Part: 6269

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFK74N50P2

Stock Part: 6921

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 74A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXFL44N100P

Stock Part: 3231

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió

IXYS

IXTT10N100D2

Stock Part: 6385

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFH12N120P

Stock Part: 6471

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

IXYS

IXFH14N100Q2

Stock Part: 3835

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

IXYS

IXFT69N30P

Stock Part: 8342

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió