Transistors: bipolars (BJT): matrius, pre-esbiaixa

Casa
Transistors: bipolars (BJT): matrius, pre-esbiaixa

BCR35PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Stock Part: 152076

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Stock Part: 1466

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Stock Part: 1531

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR35PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Stock Part: 1529

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Stock Part: 1468

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Stock Part: 1537

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Stock Part: 1441

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Stock Part: 1506

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Stock Part: 3210

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Stock Part: 1473

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR108SH6433XTMA1

Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Stock Part: 1470

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR08PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Stock Part: 1495

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR48PNE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Stock Part: 1457

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR48PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Stock Part: 3149

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR35PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Stock Part: 1427

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR22PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Stock Part: 1454

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR198SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Stock Part: 1473

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR22PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Stock Part: 1505

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR185SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Stock Part: 1465

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR183SE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Stock Part: 1484

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Stock Part: 1459

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR183SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Stock Part: 1440

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR169SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Stock Part: 1509

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR148SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR148SE6327BTSA1

Stock Part: 1486

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR148SE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR148SE6433HTMA1

Stock Part: 1436

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR141SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR141SE6327BTSA1

Stock Part: 1483

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR135SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR135SE6327BTSA1

Stock Part: 1438

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR133SE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR133SE6433BTMA1

Stock Part: 1430

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR133SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR133SE6327BTSA1

Stock Part: 1432

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR133SB6327XT

Stock Part: 1446

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR129SE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR129SE6327HTSA1

Stock Part: 1436

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR119SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR119SE6327BTSA1

Stock Part: 1514

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR119SE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR119SE6433HTMA1

Stock Part: 1484

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR10PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR10PNE6327BTSA1

Stock Part: 3226

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

BCR116SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR116SE6327BTSA1

Stock Part: 1508

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Cessió

Infineon Technologies

BCR10PNB6327XT

Stock Part: 1434

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

72

«
1
2
»