Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R190E6XKSA1

Stock Part: 22907

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Cessió
IPI120N06S402AKSA2
Infineon Technologies

IPI120N06S402AKSA2

Stock Part: 48418

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Cessió
IPZA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R180P7XKSA1

Stock Part: 1306

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.6A, 10V,

Cessió
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R400CEXKSA1

Stock Part: 53935

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

Cessió
SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW55N80C3FKSA1

Stock Part: 4868

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 54.9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 32.6A, 10V,

Cessió
IPI045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI045N10N3GXKSA1

Stock Part: 1374

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V,

Cessió
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW16N50C3FKSA1

Stock Part: 1221

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 560V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
IRFS3306PBF
Infineon Technologies

IRFS3306PBF

Stock Part: 27199

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

Cessió
IRF4104PBF
Infineon Technologies

IRF4104PBF

Stock Part: 41415

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 75A, 10V,

Cessió
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP023N04NGXKSA1

Stock Part: 37393

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Cessió
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R037P7XKSA1

Stock Part: 433

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 29.5A, 10V,

Cessió
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R1K2P7XKSA1

Stock Part: 44199

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V,

Cessió
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190C7XKSA1

Stock Part: 21681

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.7A, 10V,

Cessió
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R180C7XKSA1

Stock Part: 18999

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.3A, 10V,

Cessió
IRFB4620PBF
Infineon Technologies

IRFB4620PBF

Stock Part: 29305

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R080P7XKSA1

Stock Part: 1353

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 11.8A, 10V,

Cessió
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R099P6XKSA1

Stock Part: 13094

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 37.9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 14.5A, 10V,

Cessió
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies

IPA80R1K0CEXKSA2

Stock Part: 40921

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V,

Cessió
IRLL3303PBF
Infineon Technologies

IRLL3303PBF

Stock Part: 64248

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 10V,

Cessió
IRLR2908PBF
Infineon Technologies

IRLR2908PBF

Stock Part: 38404

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

Cessió
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R040C7XKSA1

Stock Part: 5938

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 24.9A, 10V,

Cessió
IPI100N06S3L04XK
Infineon Technologies

IPI100N06S3L04XK

Stock Part: 28314

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
IPP16CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP16CN10NGXKSA1

Stock Part: 42632

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 53A, 10V,

Cessió
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R070P6XKSA1

Stock Part: 10492

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 53.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20.6A, 10V,

Cessió
IRLSL4030PBF
Infineon Technologies

IRLSL4030PBF

Stock Part: 11777

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

Cessió
IRF7413PBF
Infineon Technologies

IRF7413PBF

Stock Part: 66589

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7.3A, 10V,

Cessió
IRF7473TRPBF
Infineon Technologies

IRF7473TRPBF

Stock Part: 115934

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.1A, 10V,

Cessió
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R600E6XKSA1

Stock Part: 392

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Cessió
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125P6XKSA1

Stock Part: 15829

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11.6A, 10V,

Cessió
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R095C7XKSA1

Stock Part: 10122

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 11.8A, 10V,

Cessió
IPW60R160C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R160C6FKSA1

Stock Part: 1525

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 23.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 11.3A, 10V,

Cessió
IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R099C6FKSA1

Stock Part: 10283

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

Cessió
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies

SPP15P10PLHXKSA1

Stock Part: 276

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11.3A, 10V,

Cessió
IPS65R950C6AKMA1
Infineon Technologies

IPS65R950C6AKMA1

Stock Part: 61555

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Cessió
IRFSL7762PBF
Infineon Technologies

IRFSL7762PBF

Stock Part: 40928

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 51A, 10V,

Cessió
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPA70R450P7SXKSA1

Stock Part: 599

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 700V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.3A, 10V,

Cessió