Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

Stock Part: 884

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

Cessió
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

Stock Part: 873

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

Stock Part: 914

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

Cessió
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

Stock Part: 855

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

Cessió
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

Stock Part: 886

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

Cessió
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS7728NL6327HTSA1

Stock Part: 6115

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió
BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS84PL6433HTMA1

Stock Part: 768

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Cessió
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS670S2LL6327HTSA1

Stock Part: 5631

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 540mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

Cessió
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS308PEL6327HTSA1

Stock Part: 747

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS316NL6327HTSA1

Stock Part: 804

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

Cessió
BSS214NW L6327
Infineon Technologies

BSS214NW L6327

Stock Part: 6119

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS306NL6327HTSA1

Stock Part: 6076

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

Cessió
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS214NL6327HTSA1

Stock Part: 803

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió
BSS209PW L6327
Infineon Technologies

BSS209PW L6327

Stock Part: 817

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 580mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Cessió
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6327HTSA1

Stock Part: 722

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Cessió
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6327HTSA1

Stock Part: 719

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Cessió
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6327HTSA1

Stock Part: 783

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Cessió
BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6906HTSA1

Stock Part: 765

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Cessió
BSS138W L6327
Infineon Technologies

BSS138W L6327

Stock Part: 784

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Cessió
BSS138W L6433
Infineon Technologies

BSS138W L6433

Stock Part: 726

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Cessió
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS127L6327HTSA1

Stock Part: 810

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Cessió
BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS138NL6433HTMA1

Stock Part: 726

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Cessió
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6327HTSA1

Stock Part: 754

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Cessió
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6906HTSA1

Stock Part: 769

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Cessió
BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR92PL6327HTSA1

Stock Part: 734

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 140mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 140mA, 10V,

Cessió
BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS119L6327HTSA1

Stock Part: 792

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Cessió
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR316PL6327HTSA1

Stock Part: 775

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V,

Cessió
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP322PL6327HTSA1

Stock Part: 811

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1A, 10V,

Cessió
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP321PL6327HTSA1

Stock Part: 714

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 980mA (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 980mA, 10V,

Cessió
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies

BSF045N03MQ3 G

Stock Part: 777

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 63A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC152N10NSFGATMA1

Stock Part: 801

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP89H6327XTSA1

Stock Part: 183471

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Cessió
BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP92PH6327XTSA1

Stock Part: 175847

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Cessió
BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP170PH6327XTSA1

Stock Part: 177989

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Cessió
BSS225H6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS225H6327FTSA1

Stock Part: 122139

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Cessió
BSS131L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS131L6327HTSA1

Stock Part: 673

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

Cessió