Diodes - Rectificadors - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 25

MBRT400200

Stock Part: 2222

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)D

Stock Part: 1856

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR400100CTR

Stock Part: 1349

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MSRTA20060(A)D

Stock Part: 1235

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 200A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A080

Stock Part: 4336

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURT30010R

Stock Part: 1141

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURTA40060R

Stock Part: 949

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 200A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTR

Stock Part: 1298

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT12040

Stock Part: 1835

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTR

Stock Part: 1426

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CTR

Stock Part: 1311

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURT20010R

Stock Part: 1196

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR500150CT

Stock Part: 1181

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150R

Stock Part: 1882

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT50045

Stock Part: 1103

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

Stock Part: 1588

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A10

Stock Part: 2905

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.35V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

Stock Part: 1543

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

Stock Part: 1065

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FST120150

Stock Part: 1674

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

Stock Part: 1541

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURT20060

Stock Part: 1254

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150

Stock Part: 1540

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)

Stock Part: 1517

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 200A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURTA500120

Stock Part: 941

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 250A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT30040

Stock Part: 1272

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CT

Stock Part: 1488

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

Stock Part: 1085

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

Stock Part: 984

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 250A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120R

Stock Part: 986

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT20020

Stock Part: 1623

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURTA30020

Stock Part: 1027

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A12

Stock Part: 4218

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.35V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)

Stock Part: 1484

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 200A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A180

Stock Part: 3494

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 180V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURTA50060

Stock Part: 997

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió