Diodes - Rectificadors - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 25

MBRF500150R

Stock Part: 4268

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF400100R

Stock Part: 4217

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF12045R

Stock Part: 4274

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA600150R

Stock Part: 4520

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF12035R

Stock Part: 4251

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA600200

Stock Part: 4479

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF20035R

Stock Part: 4198

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020RL

Stock Part: 5522

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 400A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF12060

Stock Part: 4281

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FST6335M

Stock Part: 4256

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA800200

Stock Part: 4305

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 400A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF600200R

Stock Part: 4268

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT40020RL

Stock Part: 4200

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF50040

Stock Part: 4447

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT60030RL

Stock Part: 4239

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50020

Stock Part: 4248

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035

Stock Part: 4277

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 400A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045L

Stock Part: 4301

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040

Stock Part: 4300

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRT30035RL

Stock Part: 4260

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF50035

Stock Part: 4290

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50040R

Stock Part: 4266

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURF40020

Stock Part: 4239

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030RL

Stock Part: 4288

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 400A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF12030R

Stock Part: 4222

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA500150R

Stock Part: 4502

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURF30060

Stock Part: 4250

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50030

Stock Part: 4229

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA600100R

Stock Part: 4299

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FST63100M

Stock Part: 4278

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF300200R

Stock Part: 4219

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FST7335M

Stock Part: 4184

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 35A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80060R

Stock Part: 4310

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 400A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF600200

Stock Part: 4243

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRF12045

Stock Part: 4254

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50060

Stock Part: 4253

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió