Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Diodes Incorporated

DMT6008LFG-13

Stock Part: 111771

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP6050SFG-13

Stock Part: 140851

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP4013LFGQ-7

Stock Part: 199108

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3021LFDF-13

Stock Part: 177684

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3036SFV-7

Stock Part: 239

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3051LDM-7

Stock Part: 144687

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT6010LFG-7

Stock Part: 115884

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

DMN30H4D0LFDE-13

Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-13

Stock Part: 169744

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 550mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.7V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG8880LK3-13

Stock Part: 174493

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 11.6A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3025LFDF-13

Stock Part: 176739

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP26M7UFG-13

Stock Part: 161964

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN67D8L-13

Stock Part: 192981

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3036SFG-7

Stock Part: 176919

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP1012UFDF-13

Stock Part: 236

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12.6A (Ta), 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3010LFG-13

Stock Part: 142920

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3020UFDF-13

Stock Part: 165091

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2022UFDF-13

Stock Part: 114019

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG4N60SCT

Stock Part: 92893

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP1005UFDF-13

Stock Part: 213

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP4013LFGQ-13

Stock Part: 199156

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN61D9U-13

Stock Part: 164832

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3016LFDF-13

Stock Part: 148107

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-7

Stock Part: 161317

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3200U-7

Stock Part: 179806

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2039UFDE-7

Stock Part: 188521

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT6007LFG-7

Stock Part: 160675

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT32M5LFG-13

Stock Part: 148682

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2005UFG-7

Stock Part: 173380

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 89A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP6023LFGQ-7

Stock Part: 100243

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2040UFDF-13

Stock Part: 154340

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2007UFG-13

Stock Part: 167834

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT6016LFDF-13

Stock Part: 180377

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2035UFDF-13

Stock Part: 114282

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3026SFDE-13

Stock Part: 186013

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT3008LFDF-13

Stock Part: 182540

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2015UFDF-7

Stock Part: 181

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Cessió

1420

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»