Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 2.5V, 3.3V, Nombre de macrocèl·lules: 512, Nombre de portes: 48000,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 6.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 32,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 7.5ns, Subministrament de tensió: intern: 4.5V ~ 5.5V, Nombre de macrocèl·lules: 32,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.5V ~ 5.5V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 7.2ns, Subministrament de tensió: intern: 2.5V, 3.3V, Nombre de macrocèl·lules: 768, Nombre de portes: 72000,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 32,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.5V ~ 5.5V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 192,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 7.5ns, Subministrament de tensió: intern: 2.5V, 3.3V, Nombre de macrocèl·lules: 1536, Nombre de portes: 144000,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre d'elements lògics / blocs: 8, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 7.5ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 2.5V, 3.3V, Nombre de macrocèl·lules: 768, Nombre de portes: 72000,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.5V ~ 5.5V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 7.5ns, Subministrament de tensió: intern: 4.5V ~ 5.5V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 192,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 32,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 20.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 15.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 32,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.5V ~ 5.5V, Nombre de macrocèl·lules: 512,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 10.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 32,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 7.5ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 20.0ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 256,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 12.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 128,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 6.5ns, Subministrament de tensió: intern: 3V ~ 3.6V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
Tipus programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Temps de retard tpd (1) màx: 6.0ns, Subministrament de tensió: intern: 4.75V ~ 5.25V, Nombre de macrocèl·lules: 64,
