Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 15.4V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 15.6V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 7V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 3.15V ~ 5.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.5V, 3.15V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 30V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 2.7V ~ 5.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.6V, 1.4V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 1.8V ~ 5.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.6V, 1.4V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9.5V ~ 15V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 14V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 4V, 7V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4V ~ 14V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1V, 4V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 5.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.6V, 2.65V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 3V ~ 5.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1.25V, 1.6V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 15V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1V, 2V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1V, 2.3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 8V ~ 17V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1.3V, 2.7V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 8V ~ 14V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
