Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 5V ~ 40V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 5V ~ 40V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 8V ~ 17V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9.5V ~ 15V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10.8V ~ 13.2V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 16.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 16.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 14V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10.8V ~ 13.2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: 3-Phase, Nombre de conductors: 6, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: 3-Phase, Nombre de conductors: 6, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: 3-Phase, Nombre de conductors: 6, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: 3-Phase, Nombre de conductors: 6, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: 3-Phase, Nombre de conductors: 6, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: 3-Phase, Nombre de conductors: 6, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 3, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 1.8V ~ 6V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 3.5V ~ 60V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 8V ~ 48V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.7V, 3.5V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 4, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 18V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: High-Side or Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4V ~ 6V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 16V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 16V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 1V, 3.65V,
