Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 5V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 5V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 12V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 12V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 3V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 3V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 15V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.6V ~ 5.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.15V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.15V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.6V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.6V ~ 6V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.6V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.15V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.15V ~ 13.2V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.15V ~ 7.5V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.6V ~ 6V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.75V ~ 5.25V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 16V ~ 30V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 16V ~ 30V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 16V ~ 30V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 16V ~ 30V,
